英才网：据光明日报微博消息，半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾，因病医治无效，于2022年6月23日在北京逝世，享年89岁。 

梁骏吾（资料图 图片来源：中国工程院官网）

       梁骏吾1933年9月出生于湖北武汉。据《中国科学报》报道，梁骏吾自幼兴趣广泛，文理兼优，平时喜欢作些新诗，还跑去广播电台朗诵。高中时，化学老师常常说起中国工业的落后。潜移默化中，青年梁骏吾心中种下了一个愿望——通过自己的努力，去改变这种落后的状况。

       报考大学时，梁骏吾选择了武汉大学化学系，1955年以优等成绩毕业。据报道，梁骏吾和妻子闻瑞梅是大学同窗，上学时两家仅一条马路之隔，一起上学，一起回家。此后，两人又成为中科院半导体所的同事，共同在科学事业中辛勤耕耘。

       毕业后，梁骏吾通过选拔前往苏联留学深造。据报道，他几乎每天都是搭最后一班市内公交从学校回到住所，“开夜车”学习更是家常便饭。四年的异乡生活，在他看来就是为了克服重重困难，学成后报效祖国。

1960年，梁骏吾在莫斯科冶金研究所的研究生毕业考试中，所有课程均考取满分，并通过出众的论文答辩获得副博士（相当于现在的博士）学位。

       回国后，梁骏吾进入中科院半导体所工作，从事开拓性的区熔硅单晶研制工作。梁骏吾负责国家十二年科技规划中的高纯硅研制，得到电阻率为15×104ohm-cm的硅单晶，是当时国际上最好结果之一，获1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖。研制的硅无坩埚区熔提纯设备获1964年国家科委全国新产品二等奖。1964-1965年负责组建GaAs液相外延研究。

       1965年，梁骏吾首次研制成功国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料。1966-1969年负责156工程中集成电路用硅外延材料任务。解决了连续生长硅高掺杂外延层、SiO2介质层、多晶硅层的工艺技术。为我国第一代介质隔离集成电路提供了外延材料。在4K位和16K位DRAM研制中，成功制备大规模集成电路用无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高质量直拉硅单晶。该两项研究分别获中科院1979年及1980年重大成果一等奖。

       20世纪80年代，梁骏吾首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶。完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

       1997年，梁骏吾当选为中国工程院院士。

        “我们这个行当，也有它的危险性。”梁骏吾说，他有一个同学，就在实验中因为氢气突然爆炸而丧生。而他本人，也多次在实验室突遭电击丧失知觉，也曾经历过药品泄漏，满屋子都是白雾。

       “出了事情怎么办？还不是一样要冲进去抢。”梁骏吾回忆，他曾不止一次面对险情，奋不顾身跑进实验室，“抢”出污染源和贵重物品。

       梁骏吾曾说，希望通过自己的科研经历，能够带给年轻科研人员一些启发，“让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩，这就可以了”。